Mengapa Kita Beralih ke Metode Pengeringan dengan Sinar Infra Merah di Pabrik Wafer
Sejujurnya, oven konvensional yang digunakan sebelumnya sangat tidak efisien. Proses pemanasan berlangsung lambat, membutuhkan bahan kimia berbahaya, dan pada dasarnya hanya memanaskan udara di dalam ruangan saja. Kita mulai meninggalkan metode ini, dan beralih ke metode pengeringan menggunakan sinar inframerah.
Perbedaan utamanya adalah sinar inframerah tidak mempengaruhi udara di sekitarnya. Sinar tersebut langsung mengenai permukaan bahan yang akan diproses. Itulah mengapa metode ini dianggap sebagai cara terbaik untuk menghasilkan produk yang bebas timbal dan ramah lingkungan.
Mengurangi Pemborosan Energi
Bayangkan oven konvensional yang menggunakan udara panas untuk memanaskan bahan. Anda harus mengeluarkan banyak uang hanya untuk memanaskan udara di dalam ruangan. Itu merupakan pemborosan energi.
Dengan metode sinar inframerah, kita menggunakan sensor dan alat pemancar untuk mengarahkan gelombang elektromagnetik langsung ke permukaan wafer. Karena kita menargetkan wafer saja, bukan udara di sekitarnya, kita bisa menghindari penggunaan bahan pelarut yang mengandung timbal dan zat-zat berbahaya lainnya. Dengan demikian, konsumsi energi menjadi lebih rendah.
Masalah Penggunaan Bahan Bebas Timbal
Jika Anda menggunakan solder atau polimer yang bebas timbal, Anda pasti tahu betapa sulitnya prosesnya. Anda membutuhkan suhu pemanasan yang sangat spesifik dan cepat. Jika proses pemanasan berlangsung terlalu lambat, akan terjadi pertumbuhan senyawa antarmetalik, sehingga sambungan antar komponen akan rusak.
Sinar inframerah memungkinkan kita mencapai suhu target tersebut dalam hitungan detik. Namun, kita tidak bisa sekadar “menyetelnya lalu melupakan semuanya”. Kita perlu menggunakan sensor inframerah yang akurat untuk memantau suhu wafer secara real-time. Ini merupakan sistem tertutup yang mencegah wafer dari overheating. Jika sensor tersebut tidak akurat, wafer akan rusak. Kita membutuhkan alat pengukur suhu yang sangat akurat agar suhu wafer tetap berada dalam rentang ±1°C. Memang sulit, tapi itulah satu-satunya cara yang efektif.
Kekurangan Metode Ini
Meskipun metode sinar inframerah cepat, tetapi metode ini bukanlah solusi yang sempurna. Masalah utamanya adalah “efek tepi”. Karena wafer berbentuk lingkaran, bagian tepinya cenderung menyerap panas lebih cepat dibandingkan bagian tengahnya. Hal ini tentu menyebabkan masalah.
Untuk mengatasinya, kita perlu menyesuaikan konfigurasi alat pemancar atau menggunakan reflektor khusus untuk menyeimbangkan aliran panas. Jika hal ini diabaikan, proses pengeringan akan tidak merata, dan itu merupakan masalah yang tidak diinginkan.