Tại sao chúng ta chuyển sang phương pháp khử ẩm bằng tia hồng ngoại trong quy trình sản xuất wafer?
Hãy thành thật mà nói: những lò sấy truyền thống thật sự rất kém hiệu quả. Chúng hoạt động chậm, cần sử dụng nhiều hóa chất nguy hiểm, và thực chất chỉ làm nóng không khí trong buồng sấy mà thôi. Chúng ta đang từ bỏ phương pháp này và chuyển sang sử dụng phương pháp khử ẩm bằng tia hồng ngoại.
Điểm khác biệt lớn nhất là gì?
Tia hồng ngoại không cần quan tâm đến không khí; nó trực tiếp tác động lên vật liệu cần xử lý. Đó chính là lý do tại sao mọi người coi đây là phương pháp tốt nhất để loại bỏ chì và tạo ra sản phẩm thân thiện với môi trường.
Ngăn chặn sự tổn thất năng lượng
Hãy nghĩ về những lò sấy truyền thống: bạn phải chi rất nhiều tiền chỉ để làm nóng không khí trong buồng sấy. Đó là sự lãng phí.
Với phương pháp tia hồng ngoại, chúng ta sử dụng các cảm biến và thiết bị phát sóng để truyền năng lượng trực tiếp vào bề mặt wafer. Vì chúng ta tập trung vào wafer chứ không phải không khí, nên chúng ta có thể loại bỏ những chất phản ứng dựa trên dung môi – những chất chứa chì và các chất có hại khác. Nhờ đó, việc sử dụng năng lượng sẽ được kiểm soát tốt hơn.
Vấn đề liên quan đến việc loại bỏ chì
Nếu bạn làm việc với chất keo hoặc polymer không chứa chì, bạn sẽ gặp nhiều khó khăn. Bạn cần một môi trường nhiệt độ chính xác và nhanh chóng. Nếu việc nâng nhiệt diễn ra chậm, các kim loại sẽ kết dính với nhau, khiến các mối nối bị hư hỏng.
Phương pháp tia hồng ngoại giúp chúng ta đạt được nhiệt độ cần thiết trong vài giây thôi. Nhưng bạn không thể chỉ đơn giản thiết lập mọi thứ rồi bỏ mặc nó. Chúng ta cần sử dụng các cảm biến chính xác để theo dõi nhiệt độ của wafer trong thời gian thực. Đó là một hệ thống khép kín, giúp tránh tình trạng quá nhiệt. Nếu cảm biến không hoạt động đúng cách, wafer sẽ bị biến dạng. Bạn cần sử dụng các thiết bị đo nhiệt độ chính xác để duy trì nhiệt độ trong khoảng ±1°C. Đó là một yêu cầu khắt khe, nhưng đó là cách duy nhất để đạt được hiệu quả tốt nhất.
Nhược điểm của phương pháp này
Dù tia hồng ngoại rất nhanh, nhưng nó cũng không phải là giải pháp hoàn hảo. Vấn đề lớn nhất là “hiệu ứng mép”. Vì wafer có hình tròn, nên các mép của wafer thường hấp thụ nhiệt nhanh hơn phần giữa. Điều này gây ra nhiều khó khăn.
Để khắc phục vấn đề này, chúng ta cần điều chỉnh thông số của các thiết bị phát sóng hoặc sử dụng các bộ phản xạ chuyên dụng để cân bằng dòng nhiệt. Nếu bỏ qua bước này, nhiệt độ trên bề mặt wafer sẽ không đồng đều, và đó là vấn đề mà chúng ta không muốn gặp phải.